00000nam 2200000zi 4500 9.892677 CaOODSP 20221107173234 m o d f cr bn||||||||| 201021s1976 onca ob f000 0 fre d CaOODSP fre rda CaOODSP Co24-3/7-1298-1976F-PDF Bouchard, M., auteur. La structure des oxydes de silicium dopés au HCl et leur revêtement métallique / par M. Bouchard, W.A. Hartman et R.M. Kuley. Ottawa : Centre de recherches sur les communications, 1976. 1 ressource en ligne (iii, 27 pages) : illustrations. texte txt rdacontent/fre informatique c rdamedia/fre ressource en ligne cr rdacarrier/fre Rapport du CRC ; n° 1298 Publié aussi en anglais sous le titre : The structure of HCl doped silicon oxides and of the overlaying metallization. « Direction de l'électronique spatiale. » « Octobre 1976. » Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. Certaines pages ont été tournées dans cet exemplaire. Comprend des références bibliographiques (page 24). « L'addition de chlore pendant le traitement améliore les propriétés diélectriques du bioxyde de silicium en diminuant la concentration d'ions mobiles de l'oxyde. Depuis 1973 environ, l'industrie a adopté une valeur maximale approximative de 4 vol % HCl/O₂, à cause des effets nuisibles possibles d'une teneur en chlore plus élevée. Du point de vue quantitatif, nous avons découvert qu'une forte teneur en chlore (10 vol % HCl/O₂, par exemple) entraine la déformation de la surface de l'oxyde et que l'excès de chlore entraîne la formation de cavités dans l'oxyde même. Ce rapport décrit les pailles de l'oxyde et montre que leur nombre, leur grosseur et leur répartition dépendent de la teneur en chlore, de l'ordre des étapes de traitement, de la rapidité de refroidissement après oxydation et de l'orientation de la plaquette. Les pailles de l'oxyde entraînent également le soulèvement par endroit de la plupart des revêtements métalliques et peut entraîner le rongement de l'aluminium. Ces dangers pour la sûreté de fonctionnement peuvent être évités grâce à un choix judicieux des paramètres de traitement » -- Résumé, page 1. Également publié en version imprimée. MOS (Électronique) Silicium Oxydation. Silice. Chlorure d'hydrogène. Centre de recherches sur les communications (Canada), organisme de publication. The structure of HCl doped silicon oxides and of the overlaying metallization / (CaOODSP)9.892675 Rapport du CRC ; n° 1298. (CaOODSP)9.882493 PDF 2.77 Mo https://publications.gc.ca/collections/collection_2020/isde-ised/Co24/Co24-3-7-1298-1976-fra.pdf