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040 |aCaOODSP|bfre|erda|cCaOODSP
0861 |aCo24-3/7-1298-1976F-PDF
1001 |aBouchard, M., |eauteur.
24513|aLa structure des oxydes de silicium dopés au HCl et leur revêtement métallique / |cpar M. Bouchard, W.A. Hartman et R.M. Kuley.
264 1|aOttawa : |bCentre de recherches sur les communications, |c1976.
300 |a1 ressource en ligne (iii, 27 pages) : |billustrations.
336 |atexte|btxt|2rdacontent/fre
337 |ainformatique|bc|2rdamedia/fre
338 |aressource en ligne|bcr|2rdacarrier/fre
4901 |aRapport du CRC ; |vn° 1298
500 |aPublié aussi en anglais sous le titre : The structure of HCl doped silicon oxides and of the overlaying metallization.
500 |a« Direction de l'électronique spatiale. »
500 |a« Octobre 1976. »
500 |aÉdition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada].
500 |aCertaines pages ont été tournées dans cet exemplaire.
504 |aComprend des références bibliographiques (page 24).
5203 |a« L'addition de chlore pendant le traitement améliore les propriétés diélectriques du bioxyde de silicium en diminuant la concentration d'ions mobiles de l'oxyde. Depuis 1973 environ, l'industrie a adopté une valeur maximale approximative de 4 vol % HCl/O₂, à cause des effets nuisibles possibles d'une teneur en chlore plus élevée. Du point de vue quantitatif, nous avons découvert qu'une forte teneur en chlore (10 vol % HCl/O₂, par exemple) entraine la déformation de la surface de l'oxyde et que l'excès de chlore entraîne la formation de cavités dans l'oxyde même. Ce rapport décrit les pailles de l'oxyde et montre que leur nombre, leur grosseur et leur répartition dépendent de la teneur en chlore, de l'ordre des étapes de traitement, de la rapidité de refroidissement après oxydation et de l'orientation de la plaquette. Les pailles de l'oxyde entraînent également le soulèvement par endroit de la plupart des revêtements métalliques et peut entraîner le rongement de l'aluminium. Ces dangers pour la sûreté de fonctionnement peuvent être évités grâce à un choix judicieux des paramètres de traitement » -- Résumé, page 1.
530 |aÉgalement publié en version imprimée.
650 6|aMOS (Électronique)
650 6|aSilicium|xOxydation.
650 6|aSilice.
650 6|aChlorure d'hydrogène.
7102 |aCentre de recherches sur les communications (Canada), |eorganisme de publication.
77508|tThe structure of HCl doped silicon oxides and of the overlaying metallization / |w(CaOODSP)9.892675
830#0|aRapport du CRC ;|vn° 1298.|w(CaOODSP)9.882493
85640|qPDF|s2.77 Mo|uhttps://publications.gc.ca/collections/collection_2020/isde-ised/Co24/Co24-3-7-1298-1976-fra.pdf