00000nam 2200000zi 4500 9.870079 CaOODSP 20250324130812 m o d f cr cn||||||||| 190318s1979 onca ob f000 0 fre d CaOODSP fre rda CaOODSP n-cn--- Co22-141/1979F-PDF Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal. Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1979. 1 ressource en ligne (i, 44 pages) : illustrations texte txt rdacontent/fre informatique c rdamedia/fre ressource en ligne cr rdacarrier/fre « Projet CDT - P464. » « Contrat MAS 04SU.36100-8-1036. » « Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... » « 28 mars 1979. » Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. Comprend des références bibliographiques. Transistors à effet de champ Canada. Ministère des communications. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique. École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique. PDF 5.94 Mo https://publications.gc.ca/collections/collection_2019/isde-ised/Co22-141-1979-fra.pdf