| 000 | 00000nam 2200000zi 4500 |
| 001 | 9.870079 |
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| 003 | CaOODSP |
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| 005 | 20250324130812 |
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| 006 | m o d f |
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| 007 | cr cn||||||||| |
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| 008 | 190318s1979 onca ob f000 0 fre d |
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| 040 | |aCaOODSP|bfre|erda|cCaOODSP |
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| 043 | |an-cn--- |
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| 086 | 1 |aCo22-141/1979F-PDF |
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| 245 | 10|aRapport final : |bfiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / |cpréparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal. |
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| 264 | 1|aOttawa, Ontario : |bMinistère des communications, |c1979. |
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| 300 | |a1 ressource en ligne (i, 44 pages) : |billustrations |
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| 336 | |atexte|btxt|2rdacontent/fre |
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| 337 | |ainformatique|bc|2rdamedia/fre |
|---|
| 338 | |aressource en ligne|bcr|2rdacarrier/fre |
|---|
| 500 | |a« Projet CDT - P464. » |
|---|
| 500 | |a« Contrat MAS 04SU.36100-8-1036. » |
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| 500 | |a« Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... » |
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| 500 | |a« 28 mars 1979. » |
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| 500 | |aÉdition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. |
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| 504 | |aComprend des références bibliographiques. |
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| 653 | 10|aTransistors à effet de champ |
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| 710 | 1 |aCanada. |bMinistère des communications. |
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| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bDépartement de génie physique. |
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| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bDépartement de génie métallurgique. |
|---|
| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bCentre de développement technologique. |
|---|
| 856 | 40|qPDF|s5.94 Mo|uhttps://publications.gc.ca/collections/collection_2019/isde-ised/Co22-141-1979-fra.pdf |
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