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| 01895cam 2200361zi 4500 |
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| 001 | 9.870087 |
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| 003 | CaOODSP |
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| 005 | 20221107163027 |
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| 006 | m o d f |
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| 007 | cr bn||||||||| |
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| 008 | 190318s1981 onca ob f000 0 fre d |
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| 040 | |aCaOODSP|bfre|erda|cCaOODSP |
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| 043 | |an-cn--- |
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| 086 | 1 |aCo22-141/1981F-PDF |
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| 245 | 10|aRapport final : |bfiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / |cpréparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal. |
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| 264 | 1|aOttawa, Ontario : |bMinistère des communications, |c1981. |
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| 300 | |a1 ressource en ligne (55 pages, 21 pages non numérotées) : |billustrations |
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| 336 | |atexte|btxt|2rdacontent/fre |
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| 337 | |ainformatique|bc|2rdamedia/fre |
|---|
| 338 | |aressource en ligne|bcr|2rdacarrier/fre |
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| 500 | |a« Projet CDT P598. » |
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| 500 | |a« Contrat MAS 20SU.36100-0-2401. » |
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| 500 | |a« Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... » |
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| 500 | |a« Le 28 mars 1981. » |
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| 500 | |aÉdition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. |
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| 504 | |aComprend des références bibliographiques. |
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| 653 | 10|aTransistors à effet de champ |
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| 710 | 1 |aCanada. |bMinistère des communications. |
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| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bDépartement de génie physique. |
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| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bDépartement de génie métallurgique. |
|---|
| 710 | 2 |aÉcole polytechnique (Montréal, Québec). |bCentre de développement technologique. |
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| 856 | 40|qPDF|s5.55 Mo|uhttps://publications.gc.ca/collections/collection_2019/isde-ised/Co22-141-1981-fra.pdf |
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