La structure des oxydes de silicium dopés au HCl et leur revêtement métallique / par M. Bouchard, W.A. Hartman et R.M. Kuley. : Co24-3/7-1298-1976F-PDF
« L'addition de chlore pendant le traitement améliore les propriétés diélectriques du bioxyde de silicium en diminuant la concentration d'ions mobiles de l'oxyde. Depuis 1973 environ, l'industrie a adopté une valeur maximale approximative de 4 vol % HCl/O₂, à cause des effets nuisibles possibles d'une teneur en chlore plus élevée. Du point de vue quantitatif, nous avons découvert qu'une forte teneur en chlore (10 vol % HCl/O₂, par exemple) entraine la déformation de la surface de l'oxyde et que l'excès de chlore entraîne la formation de cavités dans l'oxyde même. Ce rapport décrit les pailles de l'oxyde et montre que leur nombre, leur grosseur et leur répartition dépendent de la teneur en chlore, de l'ordre des étapes de traitement, de la rapidité de refroidissement après oxydation et de l'orientation de la plaquette. Les pailles de l'oxyde entraînent également le soulèvement par endroit de la plupart des revêtements métalliques et peut entraîner le rongement de l'aluminium. Ces dangers pour la sûreté de fonctionnement peuvent être évités grâce à un choix judicieux des paramètres de traitement » -- Résumé, page 1.
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| Ministère/Organisme | Centre de recherches sur les communications (Canada), organisme de publication. |
|---|---|
| Titre | La structure des oxydes de silicium dopés au HCl et leur revêtement métallique / par M. Bouchard, W.A. Hartman et R.M. Kuley. |
| Titre de la série | Rapport du CRC ; n° 1298 |
| Type de publication | Série - Voir l'enregistrement principal |
| Langue | [Français] |
| Autres langues publiées | [Anglais] |
| Format | Électronique |
| Document électronique | |
| Note(s) | Publié aussi en anglais sous le titre : The structure of HCl doped silicon oxides and of the overlaying metallization. « Direction de l'électronique spatiale. » « Octobre 1976. » Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. Certaines pages ont été tournées dans cet exemplaire. Comprend des références bibliographiques (page 24). Également publié en version imprimée. |
| Information sur la publication | Ottawa : Centre de recherches sur les communications, 1976. |
| Auteur / Contributeur | Bouchard, M., auteur. |
| Description | 1 ressource en ligne (iii, 27 pages) : illustrations. |
| Numéro de catalogue |
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| Descripteurs | MOS (Électronique) Silicium -- Oxydation. Silice. Chlorure d'hydrogène. |
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