Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de...: Co22-141/1981F-PDF
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| Department/Agency | Canada. Ministère des communications. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique. École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique. |
|---|---|
| Title | Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal. |
| Publication type | Monograph |
| Language | [French] |
| Format | Electronic |
| Electronic document | |
| Note(s) | « Projet CDT P598. » « Contrat MAS 20SU.36100-0-2401. » « Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... » « Le 28 mars 1981. » Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. Comprend des références bibliographiques. |
| Publishing information | Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1981. |
| Description | 1 ressource en ligne (55 pages, 21 pages non numérotées) : illustrations |
| Catalogue number |
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