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Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de...: Co22-141/1981F-PDF

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publications.gc.ca/pub?id=9.870087&sl=0

Publication information
Department/Agency
  • Canada. Ministère des communications.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique.
TitleRapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal.
Publication typeMonograph
Language[French]
FormatDigital text
Electronic document
Note(s)
  • « Projet CDT P598. »
  • « Contrat MAS 20SU.36100-0-2401. »
  • « Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... »
  • « Le 28 mars 1981. »
  • Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada].
  • Comprend des références bibliographiques.
Publishing information
  • Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1981.
Description1 ressource en ligne (55 pages, 21 pages non numérotées) : illustrations
Catalogue number
  • Co22-141/1981F-PDF
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