Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de... : Co22-141/1981F-PDF
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Ministère/Organisme | Canada. Ministère des communications. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique. École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique. École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique. |
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Titre | Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal. |
Type de publication | Monographie |
Langue | [Français] |
Format | Électronique |
Document électronique | |
Note(s) | « Projet CDT P598. » « Contrat MAS 20SU.36100-0-2401. » « Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... » « Le 28 mars 1981. » Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada]. Comprend des références bibliographiques. |
Information sur la publication | Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1981. |
Description | 1 ressource en ligne (55 pages, 21 pages non numérotées) : illustrations |
Numéro de catalogue |
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