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Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de... : Co22-141/1979F-PDF

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publications.gc.ca/pub?id=9.870079&sl=1

Renseignements sur la publication
Ministère/Organisme
  • Canada. Ministère des communications.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique.
  • École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique.
TitreRapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal.
Type de publicationMonographie
Langue[Français]
FormatTexte numérique
Document électronique
Note(s)
  • « Projet CDT - P464. »
  • « Contrat MAS 04SU.36100-8-1036. »
  • « Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... »
  • « 28 mars 1979. »
  • Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada].
  • Comprend des références bibliographiques.
Information sur la publication
  • Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1979.
Description1 ressource en ligne (i, 44 pages) : illustrations
Numéro de catalogue
  • Co22-141/1979F-PDF
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