Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de... : Co22-141/1979F-PDF

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Renseignements sur la publication
Ministère/Organisme Canada. Ministère des communications.
École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie physique.
École polytechnique (Montréal, Québec). Département de génie métallurgique.
École polytechnique (Montréal, Québec). Centre de développement technologique.
Titre Rapport final : fiabilité des transistors à effet de champ en GaAs / préparé pour Directeur général de la technologie spatiale et ses applications, Ministère des communications ; par les départements de génie physique et de génie métallurgique, École polytechnique de Montréal.
Type de publication Monographie
Langue [Français]
Format Électronique
Document électronique
Note(s) « Projet CDT - P464. »
« Contrat MAS 04SU.36100-8-1036. »
« Soumis par : le Centre de développement technologique de l'École polytechnique de Montréal ... »
« 28 mars 1979. »
Édition numérisée de l'imprimé [par Innovation, sciences et développement économique Canada].
Comprend des références bibliographiques.
Information sur la publication Ottawa, Ontario : Ministère des communications, 1979.
Description 1 ressource en ligne (i, 44 pages) : illustrations
Numéro de catalogue
  • Co22-141/1979F-PDF
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