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Effect of laser-induced thermal pulses on the threshold voltage of mosfets / by R.H. Hum, A.L. Barry. : Co24-3/7-1246-1973E-PDF

"The short-term effect of a submillisecond laser pulse on the threshold voltage of metal-oxide-semiconductor field effect transistors was investigated, with negative results. This resolves a minor controversy over a paper presented at a recent radiation-effects conference. A novel method of measuring transient shifts in threshold voltage was developed"--Abstract, page 1.

Lien permanent pour cette publication :
publications.gc.ca/pub?id=9.893083&sl=1

Renseignements sur la publication
Ministère/Organisme
  • Communications Research Centre (Canada), issuing body.
TitreEffect of laser-induced thermal pulses on the threshold voltage of mosfets / by R.H. Hum, A.L. Barry.
Titre de la série
  • CRC report ; no. 1246
Type de publicationMonographie - Voir l'enregistrement principal
Langue[Anglais]
FormatTexte numérique
Document électronique
Note(s)
  • Digitized edition from print [produced by Innovation, Science and Economic Development Canada].
  • Includes bibliographical references (page 4).
Information sur la publication
  • Ottawa : Communications Research Centre, Department of Communications, June 1973.
Auteur / Contributeur
  • Hum, R. H., author.
Description1 online resource (iii, 5 pages) : figures.
Numéro de catalogue
  • Co24-3/7-1246-1973E-PDF
Descripteurs
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